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    • 专利摘要:
    Es werden ein digitales Röntgenstrahlpaneel (10) und ein Verfahren zur Herstellung einer Röntgenstrahldetektorpaneeleinrichtung geschaffen. Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden einer Detektormatrix (104) auf dem Detektorsubstrat (12), die Ausbildung eines die Detektormatrix umschließenden Damms (106) auf dem Detektorsubstrat, die Ausbildung eines Szintillatormaterials (110) auf der Detektormatrix und die Ausbildung einer hermetischen Abdeckung (118) auf dem Szintillatormaterial, die sich entweder zu einer Oberfläche des Damms und/oder über den Damm hinauserstreckt. Die digitale Röntgenstrahlpaneeleinrichtung (10) enthält ein Detektorsubstrat (12), eine auf dem Detektorsubstrat ausgebildete Detektormatrix (20), einen die Detektormatrix umschreibenden, auf dem Detektorsubstrat ausgebildeten Damm (106), ein auf der Detektormatrix ausgebildetes Szintillatormaterial (110) und eine auf dem Szintillatormaterial ausgebildete hermetische Abdichtung, die sich über die Detektormatrix und/oder den Damm hinaus und/oder über die Detektormatrix bis zu einer Oberfläche des Damms erstreckt.A digital X-ray panel (10) and a method for producing an X-ray detector panel device are created. The method includes forming a detector matrix (104) on the detector substrate (12), forming a dam (106) surrounding the detector matrix on the detector substrate, forming a scintillator material (110) on the detector matrix, and forming a hermetic cover (118) on the scintillator material that either extends to a surface of the dam and / or extends beyond the dam. The digital x-ray panel device (10) contains a detector substrate (12), a detector matrix (20) formed on the detector substrate, a dam (106) circumscribing the detector matrix, formed on the detector substrate, a scintillator material (110) formed on the detector matrix and one on the detector matrix Hermetic seal designed scintillator material, which extends beyond the detector matrix and / or the dam and / or over the detector matrix to a surface of the dam.
    公开号:DE102004005883A1
    申请号:DE200410005883
    申请日:2004-02-05
    公开日:2004-08-26
    发明作者:Michael Clement Dejule；David Francis Fobare；Ching-Yue Wei
    申请人:General Electric Co；
    IPC主号:G01T1-20
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung betrifftallgemein digitale bildgebende Systeme und mehr im Einzelnen dieHerstellung von Röntgenstrahldetektoreinrichtungen.The present invention relates togenerally digital imaging systems and more specifically theManufacture of x-ray detector devices.
    [0002] Digitale röntgenbildgebende Systeme erfahrenzur Erzeugung von digitalen Daten, welche zu nützlichen radiologischen Bildernrekonstruiert werden können,eine zunehmende Verbreitung.Experience digital X-ray imaging systemsfor the generation of digital data, which leads to useful radiological imagescan be reconstructedan increasing spread.
    [0003] Bei einigen bekannten digitalen röntgenbildgebendenSystemen wird Strahlung aus einer Quelle auf ein Subjekt, etwa einenPatienten bei einer medizinischen Diagnoseanwendung, gerichtet.Ein Teil der Strahlung geht durch den Patienten durch und trifftauf einen Detektor, wobei der Detektor die Strahlung in Lichtphotonenumsetzt, die erfasst werden. Der Detektor ist in eine Matrix diskreterBildelemente oder Pixel unterteilt und kodiert auf der Basis der Mengeoder der Intensität,der auf jeden Pixelbereich auftreffenden Strahlung Ausgangssignale.Weil die Strahlungsintensitätsich beim Durchgang der Strahlung durch den Patienten ändert, ergebendie auf der Basis der Ausgangssignale rekonstruierten Bilder eineProjektion der Gewebe des Patienten, die ähnlich solchen ist, die sichdurch gebräuchlichefotographische Röntgenfilmtechnikenerzielen lassen.In some known digital X-ray imagingSystems will radiate from a source to a subject, such as onePatients in a medical diagnostic application.Part of the radiation passes through the patient and strikesonto a detector, the detector emitting the radiation in light photonsimplemented, which are recorded. The detector is more discrete in a matrixPicture elements or pixels are divided and encoded based on the amountor the intensity,of the radiation incident on each pixel area.Because the radiation intensitychanges as the radiation passes through the patientthe images reconstructed on the basis of the output signalsProjection of the patient's tissues, which is similar to those that arethrough commonphotographic x-ray film techniqueslet achieve.
    [0004] Ein wesentlicher Faktor bei Anwendungen zurmedizinischen Bildgebung ist die räumliche Detektorauflösung. Photonen,die in dem Szintillatormaterial übereinen Detektor-Pixel erzeugt werden, sollen nur von dem jeweilsdarunter liegenden Pixel gezähltwerden, um eine hohe Bildauflösungzu erzielen. Photonen, die auf benachbarte Pixel streuen, verringerndie Bildschärfe.Das Szintillatormaterial wird deshalb in Säulen- oder Nadelform aufgedampft.Einzelne Nadeln sind voneinander getrennt und weisen jeweils einAspektverhältnis(Länge/Durchmesser)von etwa 100 oder mehr auf. Den Szintillatornadeln entlang laufendePhotonen wollen wegen des höherenBrechungsindex des Szintillatormaterials gegenüber Luft in der jeweiligenindividuellen Nadel verbleiben, vorausgesetzt, dass die einzelnenSzintillatornadeln voneinander getrennt bleiben. Es ist bekannt,dass Caesiumiodid (CsI)-Szintillatormaterial ein hygroskopischesSalz ist. Wird CsI-Szintillatormaterial Feuchtigkeit ausgesetzt,so kann dies zur Folge haben, dass das CsI-Szintillatormaterial Feuchtigkeitaufnimmt, mit der weiteren Folge, dass die einzelnen CsI-Szintillatornadelnkoaleszieren oder miteinander verschmelzen.An essential factor in applications formedical imaging is the spatial detector resolution. photonsover in the scintillator materialA detector pixel should only be generated by eachnumber of pixels underneathto have high image resolutionto achieve. Reduce photons that scatter on neighboring pixelsthe sharpness.The scintillator material is therefore vapor-deposited in the form of a column or needle.Individual needles are separated from each other and each pointaspect ratio(Length / diameter)of about 100 or more. Running along the scintillator needlesPhotons want because of the higher oneRefractive index of the scintillator material against air in the respectiveindividual needle remain, provided that the individualScintillator needles remain separate. It is known,that cesium iodide (CsI) scintillator material is a hygroscopicIs salt. If CsI scintillator material is exposed to moisture,this can result in the CsI scintillator material becoming dampwith the further consequence that the individual CsI scintillator needlescoalesce or merge.
    [0005] Bei Transport, Lagerung und Betriebvon strahlungsbildgebenden Gerätenkönnendie Geräte abträglichenUmweltbedingungen ausgesetzt sein, wie etwa Feuchtigkeit von deratmosphärischenLuftfeuchte und Spritzwasser währenddes Betriebs und bei der Verschiffung. Solche Umweltbedingungen bergendie Möglichkeiteiner Beschädigungder strahlungsbildgebenden Gerätein sich. So enthalten z.B. derartige bildgebende Geräte einenSzintillator, der Strahlung in sichtbares Licht umsetzt und derunter diesen Bedingungen eine Koaleszenz erfahren kann, die zu einerBildverschlechterung führt,welche das strahlungsbildgebende Gerät möglicherwiese unbrauchbar macht.Der Ausdruck „Koaleszenz" bezieht sich darauf,dass Kristalle des Szintillators wegen Feuchtigkeitsabsorption zusammenwachsen. Wenndie Koaleszenz einmal beginnt, kann sie sich über den ursprünglichenSchadenspunkt oder -bereich hinaus weiter ausbreiten.During transport, storage and operationof radiation imaging devicescanthe devices detrimentalBe exposed to environmental conditions, such as moisture from theatmosphericHumidity and water splashes duringoperation and shipping. Such environmental conditions hidethe possibilitydamageof the radiation imaging devicesin itself. For example, such imaging devices oneScintillator that converts radiation into visible light and thatcan experience coalescence under these conditions, leading to aImage deterioration leadswhich may render the radiation imaging device unusable.The term "coalescence" refers tothat crystals of the scintillator grow together due to moisture absorption. Ifonce the coalescence begins, it can go beyond the originalSpread out the damage point or area further.
    [0006] Unter einem Aspekt wird ein Verfahrenzum Herstellen einer Röntgenstrahldetektorpaneeleinrichtunggeschaffen. Die Einrichtung beinhaltet ein Detektorsubstrat, daseine Detektorbasisflächeund eine Anzahl von Seitenwändenaufweist, die von der Detektorbasisfläche rechtwinklig abgehen. DasVerfahren beinhaltet das Ausbilden einer Detektormatrix auf demDetektorsubstrat, das Ausbilden eines die Detektormatrix umschließenden Dammsauf dem Detektorsubstrat, die Ausbildung eines Szintillatormaterialsauf der Detektormatrix und die Ausbildung einer hermetischen Abdeckungauf dem Szintillatormaterial, die sie zumindest bis zur Oberfläche des Dammserstreckt und/oder überden Damm hinausreicht.In one aspect, a processfor manufacturing an X-ray detector panel devicecreated. The device includes a detector substrate thata detector base areaand a number of side wallshas, which depart from the detector base surface at right angles. TheThe method involves forming a detector matrix on theDetector substrate, the formation of a dam surrounding the detector matrixon the detector substrate, the formation of a scintillator materialon the detector matrix and the formation of a hermetic coveron the scintillator material, which they at least up to the surface of the damextends and / or overreaches the dam.
    [0007] Unter einem anderen Aspekt wird einedigitale Röntgenstrahlpaneeleinrichtunggeschaffen. Die digitale Röntgenstrahlpaneeleinrichtungbeinhaltet eine Detektorsubstrat, eine auf dem Detektorsubstrat ausgebildeteDetektormatrix, einen auf dem Detektorsubstrat ausgebildeten, dieDetektormatrix umschließendenDamm, ein auf der Detektormatrix ausgebildetes Szintillatormaterialund eine auf dem Szintillatormaterial ausgebildete hermetische Abdeckung, diesich zumindest überdie Detektormatrix und/oder den Damm hinaus erstreckt und/oder über dieDetektormatrix bis zu einer Oberfläche des Damms verläuft.In another aspect, adigital x-ray panel devicecreated. The digital X-ray panel deviceincludes a detector substrate, one formed on the detector substrateDetector matrix, one formed on the detector substrate, theEnclosing detector matrixDam, a scintillator material formed on the detector matrixand a hermetic cover formed on the scintillator materialat least aboutthe detector matrix and / or the dam extends and / or over theDetector matrix runs up to a surface of the dam.
    [0008] 1 isteine Draufsicht eines digitalen Röntgenstrahlpaneels; 1 Fig. 4 is a top view of a digital X-ray panel;
    [0009] 2 isteine Schnittdarstellung einer hermetischen Dichtungseinrichtung,die bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel verwendetwerden kann, 2 is a sectional view of a hermetic sealing device used in the 1 X-ray detector panel shown can be used
    [0010] 3 istein Schnittbild einer alternativen hermetischen Abdichtungseinrichtung,die mit dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel verwendetwerden kann, 3 is a sectional view of an alternative hermetic sealing device that is in accordance with the in 1 X-ray detector panel shown can be used
    [0011] 4 istein Schnittbild einer anderen hermetischen Abdichtungseinrichtung,die bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel verwendetwerden kann, 4 is a sectional view of another hermetic sealing device used in the 1 X-ray detector panel shown can be used
    [0012] 5 istein Schnittbild einer weiteren alternativen Abdichtungseinrichtung,die bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneelverwendet werden kann und 5 is a sectional view of another alternative sealing device used in the 1 X-ray detector panel shown can be used and
    [0013] 6 istein Schnittbild einer nochmals anderen alternativen hermetischenAbdichtungseinrichtung, die bei dem in 1 dargestellten Röntgenstrahldetektorpaneel verwendetwerden kann. 6 is a sectional view of yet another alternative hermetic sealing device used in the 1 X-ray detector panel shown can be used.
    [0014] 1 isteine Draufsicht eines digitalen Röntgenstrahlpaneels 10,das ein rechteckig ausgebildetes Detektorsubstrat 12 beinhaltet,das eine Detektorbasisfläche 14,wenigstens eine Seitenwand 16, die sich rechtwinklig vonder Detektorbasisfläche 14 wegerstreckt und eine Rückseite 18 aufweist,die der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt.Die Detektorbasisfläche 14 beinhalteteinen aktiven Detek torbereich 20, einen Dammbereich 22,einen Kontaktfingerbereich 24 und eine Brustwandseite 26. 1 is a top view of a digital x-ray panel 10 , which is a rectangular detector substrate 12 that includes a detector base area 14 , at least one side wall 16 that are perpendicular to the detector base area 14 extends away and a back 18 has that of the detector base area 14 is opposite. The detector base area 14 includes an active detector area 20 , a perineal area 22 , a contact finger area 24 and a chest wall side 26 ,
    [0015] Der aktive Detektorbereich 20 istein im Wesentlichen rechteckiger Bereich auf der Detektorbasisfläche 14,der auf einfallende Strahlung anspricht und so konfiguriert ist,dass er auftreffende Strahlung in elektrische Signale umsetzt, dievon einer Anzahl Kontaktfinger 28 empfangen werden, welchein dem Kontaktfingerbereich 24 voneinander beabstandet angeordnetsind. Der Dammbereich 22 beinhaltet eine planarisiertenKlebstoffauftrag, der den aktiven Detektorbereich 20 umgibt.Bei der beispielhaften Ausführungsformwird das Paneel 10 in ein Mammographiegerät eingesetzt.Demgemäß weistein Brustwandseitenabschnitt des Dammbereichs 22 eine Breite 30 auf,währendTeile des Dammbereichs 22, die nicht an die Brustwandseite 26 angrenzen,eine Breite 32 haben. Bei einer Ausführungsform liegt die Breite 30 ineinem Bereich zwischen 0,015 Inches und 0,055 Inches. Bei eineralternativen Ausführungsformliegt die Breite 30 in einem Bereich zwischen 0,025 Inchesund 0,045 Inches. Bei der beispielhaften Ausführungsform beträgt die Breite 30 etwa0,035 Inches. Bei einer Ausführungsformliegt die Breite 32 in einem Bereich zwischen 0,138 Inches und0,178 Inches. Bei einer alternativen Ausführungsform liegt die Breite 32 ineinem Bereich zwischen 0,148 Inches und 0,168 Inches. Bei der beispielhaftenAusführungsformbeträgtdie Breite 32 etwa 0,158 Inches. Der jeweilige Abmessungsbereichist lediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und sollkeine Beschränkungbedeuten.The active detector area 20 is a substantially rectangular area on the detector base 14 that responds to incident radiation and is configured to convert incident radiation into electrical signals from a number of contact fingers 28 are received, which are in the contact finger area 24 are spaced from each other. The perineal area 22 includes a planarized adhesive application covering the active detector area 20 surrounds. In the exemplary embodiment, the panel 10 inserted into a mammography device. Accordingly, a chest wall side portion of the perineum area 22 a width 30 on while parts of the perineal area 22 that are not on the chest wall side 26 adjoin a width 32 to have. In one embodiment, the width is 30 in a range between 0.015 inches and 0.055 inches. In an alternative embodiment, the width is 30 in a range between 0.025 inches and 0.045 inches. In the exemplary embodiment, the width is 30 about 0.035 inches. In one embodiment, the width is 32 in a range between 0.138 inches and 0.178 inches. In an alternative embodiment, the width is 32 in a range between 0.148 inches and 0.168 inches. In the exemplary embodiment, the width is 32 about 0.158 inches. The respective range of dimensions is given for the purpose of illustration only and is not intended to imply any limitation.
    [0016] Bei der beispielhaften Ausführungsformist die Abmessung der Breite 30 kleiner als die Abmessungder Breite 32. Diese Gestaltung kann beispielsweise verwendetwerden, wenn das digitale Röntgenstrahlpaneel 10 ineinem Mammographiegerät eingesetztwerden soll, bei dem es zweckmäßig ist, den aktivenDetektorbereich 20 so nah wie möglich an die Brustwand desPatienten heran zu bringen. Bei einer alternativen Ausführungsform,bspw. fürein RAD- oder kardiologisches Gerät, kann die Abmessung der Breite 30 gleichoder größer alsdie Abmessung der Breite 32 sein. Eine Breite 34 istdie Breite des aktiven Detektorbereichs 20, eine Breite 36 ist dieBreite des Substrats 12 anschließend an die Brustwandseite 26 undeine Breite 38 ist die Breite des Kontaktfingerbereichs 24,der sich nicht an die Brustwandseite 26 anschließt. DieKontaktfinger 28 treten aus dem Panel 10 nichtan der Brustwandseite 26 aus. Bei einer Ausführungsformist die Breite 36 im Wesentlichen Null, was bedeutet, dasssich der Damm 106 in dem Bereich 30 im Wesentlichenbis an den Rand des Substrats 12 erstreckt.In the exemplary embodiment, the dimension is width 30 smaller than the dimension of the width 32 , This design can be used, for example, when the digital X-ray panel 10 to be used in a mammography device in which it is expedient to use the active detector area 20 as close as possible to the patient’s chest wall. In an alternative embodiment, for example for a RAD or cardiological device, the dimension of the width can 30 equal to or greater than the dimension of the width 32 his. A width 34 is the width of the active detector area 20 , a width 36 is the width of the substrate 12 then to the chest wall side 26 and a width 38 is the width of the contact finger area 24 that is not on the chest wall side 26 followed. The contact fingers 28 step out of the panel 10 not on the chest wall side 26 out. In one embodiment, the width is 36 essentially zero, which means that the dam 106 in that area 30 essentially to the edge of the substrate 12 extends.
    [0017] Im Betrieb wird ein Teil des Patientenzwischen dem digitalen Röntgenstrahlpaneel 10 undeiner (nicht dargestellten) Strahlungs- oder Röntgenstrahlungsquelle angeordnet.Die auftreffende Strahlung geht durch den Patienten durch, und einTeil, der einfallenden Strahlung wird von dem Patienten absorbiert.Der Teil der einfallenden Strahlung, der von dem Patienten nichtabsorbiert wird, wird von dem Szintillatormaterial 110 absorbiert.Das Szintillatormaterial 110 setzt das Röntgenstrahlsignalin ein Lichtsignal um, das seinerseits wieder durch eine Fotodiodeauf dem Detektorsubstrat in eine elektrische Ladung umgesetzt wird.Das elektrische Signal ist somit proportional zu einer von dem digitalenRöntgenstrahlpaneel 10 empfangenenStrahlungsmenge. Die elektrischen Signale werden den Kontaktfingern 28 zurweiteren Ankopplung an eine (nicht dargestellte) interpretierendeelektronische Vorrichtung zugeführt.In operation, part of the patient is placed between the digital X-ray panel 10 and a radiation or X-ray source (not shown). The incident radiation passes through the patient and part of the incident radiation is absorbed by the patient. The portion of the incident radiation that is not absorbed by the patient is from the scintillator material 110 absorbed. The scintillator material 110 converts the X-ray signal into a light signal, which in turn is converted into an electrical charge by a photodiode on the detector substrate. The electrical signal is thus proportional to one of the digital X-ray panels 10 amount of radiation received. The electrical signals become the contact fingers 28 for further coupling to an interpreting electronic device (not shown).
    [0018] 2 isteine Querschnittsdarstellung eines hermetischen Abdichtungsaufbausoder -einrichtung, der bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneelverwendet werden kann. In 2 dargestellteKomponenten, die mit in 1 gezeigten Komponentenidentisch sind, sind in 2 mitden gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wie sie in 1 verwendet sind. Demgemäß beinhaltetdas Detektorsubstrat 12 eine Detektorbasisfläche 14,eine Seitenwand 16, die sich rechtwinklig von der Detektorbasisfläche 14 wegerstreckt und eine Rückseite 18,die der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt. 2 FIG. 4 is a cross-sectional view of a hermetic seal assembly or device used in the 1 X-ray detector panel shown can be used. In 2 components shown with in 1 components shown are identical are in 2 with the same reference numerals as in 1 are used. Accordingly, the detector substrate includes 12 a detector base area 14 , a side wall 16 that are perpendicular to the detector base area 14 extends away and a back 18 that of the detector base area 14 is opposite.
    [0019] Die Detektorbasisfläche 14 beinhalteteinen aktiven Detektorbereich 20, einen Dammbereich 22, einenKontaktfingerbereich 24 und einen Klebebereich 102.Auf der Detektorbasisfläche 14 istin dem aktiven Detektorbereich 20 eine Detektormatrix 104 ausgebildet,die ein Array von Fotosensoren aufweist, die so angeordnet sind,dass sie Photonen erfassen können.Elemente der Detektormatrix 104 sind an Kontaktfinger 28 jeweilsso angekoppelt, dass durch eine Kombination von Verbindungen zu denKontaktfingern 28 der jeweilige Status jedes Elementesder Detektormatrix 104 bestimmt werden kann. Ein ringsum den Umfang des aktiven Detektorbereichs 20 ausgebildeterplanarisierter Klebstoffdamm 106 weist eine Dicke 108 auf,die gleich dem Abstand einer der Detektormatrix 104 benachbarten erstenSeite des Dammes 106 von einer dieser gegenüberliegendenzweiten Seite 109 des Dammes 106 ist. Bei einerbeispielhaften Ausführungsformbeträgtdie Dicke 108 etwa 0,005 inches. So wie sie hier benutztwerden, werden Ausdrückewie z.B. „auf", „über" und „oberhalbvon" dazu verwendetauf den jeweiligen relativen Ort von in der Zeichnung dargestelltenTeilen Bezug zu nehmen; sie bedeuten keine aufbau- oder funktionsmäßigen Beschränkungenin der zusammengebauten Vorrichtung.The detector base area 14 includes an active detector area 20 , a perineal area 22 , a contact finger area 24 and an adhesive area 102 , On the detector base 14 is in the active detector area 20 a detector matrix 104 formed, which has an array of photosensors, which are arranged so that they can detect photons. Elements of the detector matrix 104 are on contact fingers 28 each coupled so that a combination of connections to the contact fingers 28 the respective status of each element of the detector matrix 104 can be determined. One around the perimeter of the active detector area 20 trained planarized adhesive dam 106 has a thickness 108 on, which is equal to the distance of one of the detector matrix 104 neighboring first side of the dam 106 from one of these ge opposite second page 109 of the dam 106 is. In an exemplary embodiment, the thickness is 108 about 0.005 inches. As used here, terms such as "on", "above" and "above" are used to refer to the relative location of the parts shown in the drawing, and do not imply any structural or functional restrictions in the figure assembled device.
    [0020] Auf der Detektormatrix 104 istein den aktiven Detektorbereich 20 überdeckendes Szintillatormaterial 110 ausgebildet.Bei der beispielhaften Ausführungsformbeinhaltet das Szintillatormaterial 110 ein Caesiumiodid(Csi)-Material in einer CsI-Nadelstruktur 111. Bei eineralternativen Ausführungsform könnten auchandere Materialien brauchbar sein. Bei der beispielhaften Ausführungsformenthältdie CsI-Nadelstruktur 111 ein Thallium-Dopingmaterial. Über demSzintillatormaterial 110 ist eine ein- oder abkapselndeSchicht 112 ausgebildet, die sich über den aktiven Detektorbereich 20,den Dammbereich 22 und einen Teil des Klebebereichs 102 erstreckt. Beider beispielhaften Ausführungsformist die einkapselnde Schicht 112 zwischen der Szintillatornadelstruktur 111 über derenganze Längebis zum Boden jeder der Szintillatornadeln 111 und längs aller Seitenwände allerSzintillatornadeln aufgetragen. Der Klebebereich 102 bildeteinen Bereich, an dem die Einkapselungsschicht 112 festklebt,um eine Abdichtung überdem Szintillatormaterial 110 auszubilden. Bei einer Ausführungsformist die Einkapselungsschicht 112 eine Schicht aus einemPolyparaxylylenmaterial (ParylenTM N). Beieiner anderen Ausführungsformist die Einkapselungsschicht 112 eine Schicht aus einemIsomonochlorpolyparaxylylenmaterial (ParylenTM C).Bei einer weiteren Ausführungsformist die Einkapselungsschicht 112 eine Schicht aus sowohlParylenTM C als auch ParylenTM N.ParylenTM ist eine eingetragene Marke derSpecialty Coating Systems, Inc. 5701 West Minnesota St., Indianapolis,Indiana 46241.On the detector matrix 104 is the active detector area 20 covering scintillator material 110 educated. In the exemplary embodiment, the scintillator material includes 110 a cesium iodide (Csi) material in a CsI needle structure 111 , In an alternative embodiment, other materials could also be useful. In the exemplary embodiment, the CsI contains needle structure 111 a thallium doping material. Above the scintillator material 110 is an encapsulating or encapsulating layer 112 trained that over the active detector area 20 , the perineal area 22 and part of the adhesive area 102 extends. In the exemplary embodiment, the encapsulating layer is 112 between the scintillator needle structure 111 along their entire length to the bottom of each of the scintillator needles 111 and applied along all side walls of all scintillator needles. The adhesive area 102 forms an area where the encapsulation layer 112 sticks to seal over the scintillator material 110 train. In one embodiment, the encapsulation layer is 112 a layer of a polyparaxylylene material (Parylene TM N). In another embodiment, the encapsulation layer is 112 a layer of an isomonochloropolyparaxylylene material (Parylene TM C). In another embodiment, the encapsulation layer 112 a layer of both Parylen ™ C and Parylen ™ N. Parylen ™ is a registered trademark of Specialty Coating Systems, Inc. 5701 West Minnesota St., Indianapolis, Indiana 46241.
    [0021] Überder Einkapselungsschicht 112 ist eine z.B. Silber, Gold,Titandioxid oder Aluminium enthaltende reflektierende Schicht 114 ausgebildet,die sich überden Klebebereich 102 bis zu dem Rand der Einkapselungsschicht 112 erstreckt.Bei der beispielhaften Ausführungsformerstreckt sich die reflektierende Schicht 114 bis zum Randder Einkapselungsschicht 112. Bei anderen Ausführungsformenerstreckt sich die reflektierende Schicht 114 nicht biszum Rand der Einkapselungsschicht 112 oder aber sie läuft über denRand der Einkapselungsschicht 112 hinaus.Over the encapsulation layer 112 is a reflective layer containing eg silver, gold, titanium dioxide or aluminum 114 trained that spread over the adhesive area 102 to the edge of the encapsulation layer 112 extends. In the exemplary embodiment, the reflective layer extends 114 to the edge of the encapsulation layer 112 , In other embodiments, the reflective layer extends 114 not to the edge of the encapsulation layer 112 or it runs over the edge of the encapsulation layer 112 out.
    [0022] Auf der reflektierenden Schicht 114 isteine dünneFilmmaske 116 mit einem Material verhältnismäßig niedrigen Atomgewichts,wie z.B. Aluminium (Al), Magnesiumsfluorid (MgF), diamantenartigem Kohlenstoff,Borkarbid (B4C), Bornitrid (BNO2),Siliciumnitrat (SiNO3) und Siliciumoxyd(SiO) ausgebildet. Die dünneFilmmaske 116 ist gegen Plasmaätzen widerstandsfähig. Beieiner Ausführungsformwird die dünneFilmmaske 116 nicht verwendet, etwa, wenn die reflektierendeSchicht 114 bei einem reaktiven Ionenätzverfahren (RIE) nicht entferntwird. Bei einer anderen Ausführungsformkann zwischen der reflektierenden Schicht 114 und der dünnen Filmmaske 116 eine(nicht dargestellte) dünneSperrschicht ausgebildet sein, etwa wenn die reflektierende Schicht 114 Silberund die dünneFilmmaske 116 Aluminium enthält. In einem solchen Fall können Silberund Aluminium dazu neigen ineinander zu diffundieren, und eine dazwischenliegendedünne Sperrschicht,die bspw. Chrom enthält,trägt dazubei diese Diffusion zu verringern.On the reflective layer 114 is a thin film mask 116 formed with a relatively low atomic weight material such as aluminum (Al), magnesium fluoride (MgF), diamond-like carbon, boron carbide (B 4 C), boron nitride (BNO 2 ), silicon nitrate (SiNO 3 ) and silicon oxide (SiO). The thin film mask 116 is resistant to plasma etching. In one embodiment, the thin film mask 116 not used, such as when the reflective layer 114 is not removed in a reactive ion etching process (RIE). In another embodiment, there can be between the reflective layer 114 and the thin film mask 116 a thin barrier layer (not shown) may be formed, for example if the reflective layer 114 Silver and the thin film mask 116 Contains aluminum. In such a case, silver and aluminum can tend to diffuse into one another, and an intervening thin barrier layer, for example containing chromium, helps to reduce this diffusion.
    [0023] Auf der dünnen Filmmaske 116 isteine hermetische Schicht 118 ausgebildet. Die hermetische Schicht 118 beinhaltetauch ein Material mit verhältnismäßig niedrigemAtomgewicht, wie z.B. Aluminium (AL), Magnesiumsfluorid (MgF), diamantartiger Kohlenstoff,Borcarbid (B4C), Bornitrid (BNO2),Siliciumnitrat (SiNO3) und Silicimoxyd (SiO).Die hermetische Schicht 118 ist auf der dünnen Filmmaske 116 soausgebildet, dass sie sich überden Klebebereich 102 erstreckt und auf diesem anschließend andie Einkapselungsschicht 112 endet. Die hermetische Schicht 118 undder Klebebereich 102 bilden eine Feuchtigkeitssperre. Aufder hermetischen Schicht 118 ist eine Korrosionsschutzschicht 120 soausgebildet, dass sie auf dem Klebebereich 102 anschließend andie hermetischen Schicht 118 endet. Die Korrosionsschutzschicht 120 beinhaltetMaterialien, die eine niedrige Röntgenstrahlabsorptionaufweisen, wie etwa z.B. Acryl, ParylenTM,Aluminium (Al), Aluminiumoxyd (AlO), Magnesiumfluorid (MgF) , diamantartigerKohlenstoff, Borkarbid (B4C), Bornitrid (BNO2), Siliciumnitrat (SiNO3),Siliciumoxyd (SiO) und Gold (Au).On the thin film mask 116 is a hermetic layer 118 educated. The hermetic layer 118 also includes a relatively low atomic weight material such as aluminum (AL), magnesium fluoride (MgF), diamond-like carbon, boron carbide (B 4 C), boron nitride (BNO 2 ), silicon nitrate (SiNO 3 ) and silicon oxide (SiO). The hermetic layer 118 is on the thin film mask 116 Formed so that it extends over the adhesive area 102 extends and on this subsequent to the encapsulation layer 112 ends. The hermetic layer 118 and the glue area 102 form a moisture barrier. On the hermetic layer 118 is a corrosion protection layer 120 trained to be on the adhesive area 102 subsequent to the hermetic layer 118 ends. The corrosion protection layer 120 includes materials that have low X-ray absorption, such as acrylic, Parylene TM , aluminum (Al), aluminum oxide (AlO), magnesium fluoride (MgF), diamond-like carbon, boron carbide (B 4 C), boron nitride (BNO 2 ), silicon nitrate ( SiNO 3 ), silicon oxide (SiO) and gold (Au).
    [0024] Das digitale Röntgenstrahlpaneel 10 wird wiefolgt hergestellt: Der aktive Bereich 20 des digitalenRöntgenstrahlpaneels 10 wirdmit Tausenden rings um den Umfang des Substrats 12 angeordnetenKontaktfingern 28 erzeugt. Auf das Detektorsubstrat 12 wirdin dem Dammbereich 22 ein Klebstoffmaterial aufgetragen.Bei einer Ausführungsformder vorliegenden Erfindung ist das Klebstoffmaterial ein Epoxymaterial.Bei einer anderen Ausführungsform dervorliegenden Erfindung besteht der einkapselnde Überzug 112 aus ParylenTM N und/oder ParylenTM C und/odereiner Kombination derselben.The digital X-ray panel 10 is made as follows: The active area 20 of the digital x-ray panel 10 comes with thousands all around the perimeter of the substrate 12 arranged contact fingers 28 generated. On the detector substrate 12 is in the perineal area 22 an adhesive material is applied. In one embodiment of the present invention, the adhesive material is an epoxy material. In another embodiment of the present invention, the encapsulating coating is made 112 from parylene TM N and / or parylene TM C and / or a combination thereof.
    [0025] Das Epoxymaterial ist mit einer (nichtdargestellten) TeflonTM (eingetragene Markeder E.I. du Pont de Nemours and Company 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 ) Planarisierungsvorrichtung soeben gemacht, dass ein planarisierter Klebstoffdamm 106 ausgebildetwird, der eine Dicke 108 in einem Bereich zwischen etwa0,004 inches und etwa 0,006 inches aufweist. Der Bereich der Dicke 108 ist nurzu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und soll keine Beschränkung bedeuten.Nach dem Aushärtendes planarisierten Klebstoffdamms 106 wird die Planarisierungsvorrichtungabgenommen. Auf den planarisierten Klebstoffdamm 106 wirdeine (nicht dargestellte) Lochmaske aus einer KovarTM Metalllegierung(eingetragene Marke der CRS Holdings, Inc. 209 Baynard Building3411 Silverside Road, Wilmington, Delaware 19810), (29% Ni, 53% Fe,17%Co und 1% Spurenverunreinigungen) so aufgebracht, dass die Lochmaskeaus der Metalllegierung die Kontaktfinger 28 abdeckt undsich der Rand der KovarTM-Metalllegierungslochmaskenicht über denden Kontaktfingern 28 zunächst liegenden Umfang der Detektormatrix 104 hinauserstreckt.The epoxy material is coated with a Teflon ™ (not shown) (registered trademark of EI du Pont de Nemours and Company 1007 Market Street, Wilmington, DE 19898 ) Planarization device made so flat that a planarized adhesive dam 106 is formed of a thickness 108 in a range between about 0.004 inches and about 0.006 inches. The range of thickness 108 is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting. After the planarized adhesive dam has hardened 106 the planarization device is removed. On the planarized adhesive dam 106 becomes a Kovar ™ metal alloy shadow mask (not shown) (registered trademark of CRS Holdings, Inc. 209 Baynard Building 3411 Silverside Road, Wilmington, Delaware 19810), (29% Ni, 53% Fe, 17% Co, and 1% trace contaminants ) applied in such a way that the shadow mask made of metal alloy touches the contact fingers 28 and the edge of the Kovar TM metal alloy shadow mask does not overlap the contact fingers 28 initially lying scope of the detector matrix 104 extends beyond.
    [0026] Durch die Metalllegierungslochmaskeund auf das Detektorsubstrat wird Szintillatormaterial 110 abgelagert,das mit der Detektormatrix 104 auf dem Detektorsubstrat 12 inKontakt steht. Währendder Ablagerung des Szintillatormaterials 110 auf dem Substrat 12 sinddie Kontaktfinger 28 gegen einen Auftrag des Szintillatormaterials 110 durchden planarisierten Klebstoffdamm 106 geschützt, derzwischen den Kontaktfingern 28 und dem mit dem Szintillatormaterial 110 zubeschichtenden, aktiven Bereich 20 auf das Substrat 12 aufgebrachtist. Sodann wird währendder Ablagerung des Szintillatormaterials auf die Oberseite des Damms 106 eineKontaktlochmaske aufgebracht. Ein in der Mitte der Lochmaske vorgesehenesFenster ermöglichtes, dass Szintillatormaterial 110 lediglich in dem aktivenBereich 20 und nicht auf den Kontaktfingern 28 abgelagertwird. Der Damm 106 und die Lochmaske schützen dieKontaktfinger 28 gegen einen Auftrag von Szintillatormaterial 110.Scintillator material becomes through the metal alloy shadow mask and onto the detector substrate 110 deposited that with the detector matrix 104 on the detector substrate 12 is in contact. During the deposition of the scintillator material 110 on the substrate 12 are the contact fingers 28 against an order of the scintillator material 110 through the planarized adhesive dam 106 protected that between the contact fingers 28 and the one with the scintillator material 110 active area to be coated 20 on the substrate 12 is applied. Then during the deposition of the scintillator material on top of the dam 106 applied a contact hole mask. A window provided in the middle of the shadow mask enables scintillator material 110 only in the active area 20 and not on the contact fingers 28 is deposited. The dam 106 and the shadow mask protect the contact fingers 28 against an order of scintillator material 110 ,
    [0027] Sodann wird die Metalllegierungslochmaske abgenommen.Die Einkapselungsschicht 112 wird auf das Szintillatormaterial 110 aufgebracht,was eine Beschichtung zwischen und längs der Szintillatornadelstruktur 111 beinhaltet.Die Einkapselungsschicht 112 wird auch auf den Dammbereich 22,den Klebebereich 102, den planarisierten Klebstoffdamm 106 unddie Kontaktfinger 28 aufgebracht. Sodann wird eine (nichtdargestellte) Kontaktlochmaske auf dem planarisierten Klebstoffdamm 106 aufdie Einkapslungsschicht 112 so aufgebracht, dass die Kontaktlochmaskedie Kontaktfinger 28 abdeckt und der Rand der Kontaktlochmaskesich nicht überden Dammbereich 22 hinaus erstreckt. Auf die Einkapselungsschicht 112 wirdeine reflektierende Schicht 114 aufgebracht, die das Szintillatormaterial 110,den planarisierten Klebstoffdamm 106 und den Klebebereich 120 abdeckt.Bei einer Ausführungsformwird die reflektierende Schicht 114 lediglich auf einenTeil des Klebebereichs 102 aufgebracht.The metal alloy shadow mask is then removed. The encapsulation layer 112 is on the scintillator material 110 applied what is a coating between and along the scintillator needle structure 111 includes. The encapsulation layer 112 is also on the perineal area 22 , the adhesive area 102 , the planarized adhesive dam 106 and the contact fingers 28 applied. Then a contact hole mask (not shown) is placed on the planarized adhesive dam 106 on the encapsulation layer 112 applied so that the contact hole mask the contact fingers 28 covers and the edge of the contact mask is not over the perineum area 22 extends beyond. On the encapsulation layer 112 becomes a reflective layer 114 applied to the scintillator material 110 , the planarized adhesive dam 106 and the glue area 120 covers. In one embodiment, the reflective layer 114 only on part of the adhesive area 102 applied.
    [0028] Sodann wird die dünne Filmmaske 116 auf diereflektierende Schicht 114 aufgebracht. Die dünne Filmmaske 116 schützt diereflektierende Schicht 114, wenn die Einkapslungsschicht 112 durchein Sauerstoff-RIE entfernt wird. Die Kontaktlochmaske wird sodannabgenommen. Die Einkapslungsschicht 112 wird beim RIE vonden Kontaktfingern 28 entfernt. Sodann wird eine (nichtdargestellte) Kontaktlochmaske fürdie hermetische Schicht so aufgelegt, dass die Lochmaske die Kontaktfinger 28 abdeckt undein Rand der Kontaktlochmaske fürdie hermetische Schicht sich nicht über einen Teil des Klebebereichs 102 hinauserstreckt. Auf die dünneFilmmaske 116 wird die hermetische Schicht 118 aufgebracht, wobeidie hermetische Schicht 118 auf dem Klebebereich 102 anschließend andie dünneFilmmaske 116 endet, so dass eine Feuchtigkeitssperre zwischen derhermetischen Schicht 118 und dem Klebebereich 102 ausgebildetwird. Auf die hermetische Schicht 118 wird eine optionaleKorrosionsschutzschicht 120 aufgebracht, wobei die Korrosionsschutzschicht 120 aufdem Klebebereich 102 nahe bei der hermetischen Schicht 118 endet.Then the thin film mask 116 on the reflective layer 114 applied. The thin film mask 116 protects the reflective layer 114 when the encapsulation layer 112 is removed by an oxygen RIE. The contact hole mask is then removed. The encapsulation layer 112 is the contact finger at the RIE 28 away. A contact hole mask (not shown) for the hermetic layer is then placed in such a way that the hole mask contacts the contact fingers 28 and an edge of the contact mask for the hermetic layer does not cover part of the adhesive area 102 extends beyond. On the thin film mask 116 becomes the hermetic layer 118 applied, the hermetic layer 118 on the adhesive area 102 after the thin film mask 116 ends, leaving a moisture barrier between the hermetic layer 118 and the adhesive area 102 is trained. On the hermetic layer 118 becomes an optional anti-corrosion layer 120 applied, the corrosion protection layer 120 on the adhesive area 102 close to the hermetic layer 118 ends.
    [0029] Die hermetische Schicht 118 unddie Korrosionsschutzschicht 120 ergeben eine hermetischeAbdeckung des Paneels 10. Wenn die optionale Korrosionsschutzschicht 120 nichtverwendet wird, wird die hermetische Schicht 118 aus einemMaterial gewählt,das nicht schnell korrodiert und das sowohl als hermetische Schichtals auch als Korrosionsschutzschicht dient.The hermetic layer 118 and the anti-corrosion layer 120 result in a hermetic covering of the panel 10 , If the optional anti-corrosion layer 120 the hermetic layer is not used 118 selected from a material that does not corrode quickly and that serves both as a hermetic layer and as a corrosion protection layer.
    [0030] 3 istein Querschnittsbild einer alternativen hermetischen Abdichtungsaufbaus 200,der bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel 10 verwendetwerden kann. In 3 dargestellteKomponenten, die identisch sind mit in den 1, 2 dargestelltenKomponenten, sind in 3 mitden gleichen Bezugszeichen bezeichnet wie sie in den 1 und 2 verwendet sind. Demgemäß beinhaltet dasDetektorsubstrat 12 eine Detektorbasisfläche 14, eineSeitenwand 16, die von der Detektorbasisfläche 14 rechtwinkligabgeht und eine Rückseite 18,die der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt. 3 Figure 11 is a cross-sectional view of an alternative hermetic seal structure 200 who at the in 1 X-ray detector panel shown 10 can be used. In 3 components shown that are identical to in the 1 . 2 components shown are in 3 with the same reference numerals as in the 1 and 2 are used. Accordingly, the detector substrate includes 12 a detector base area 14 , a side wall 16 that from the detector base area 14 goes off at right angles and a back 18 that of the detector base area 14 is opposite.
    [0031] Der hermetische Dichtungsaufbau 200 erlaubteine Verringerung der Breite 202. Dieser Aufbau wird dazuverwendet, den aktiven Detektorbereich 20 so nah wie möglich andie Brustwandseite 26 heranzurücken, bspw. für ein digitalesRöntgenstrahlpaneel 10,das in einem Mammogrammgeräteingesetzt ist. Das Röntgenstrahldetektorpaneel 10 wirdin dem Aufbau 200 ähnlichwie bei dem Aufbau 100 hergestellt, mit dem Unterschied,dass eine hermetische Schicht 204 und eine Korrosionsschutzschicht 206, bspw.von der rechten Seite aus, wie in 3 dargestellt,rechtwinklig zu der hermetischen Schicht 118 und der Korrosionsschutzschicht 120 aufgebracht sind.Die hermetische Schicht 204 ist über einen Rand der Einkapselungsschicht 112,der reflektierenden Schicht 114, der dünnen Filmmaske 116,der hermetischen Schicht 118 und der Korrosionsschutzschicht 120 sowiedie Seitenwand 16 auf der Brustwandseite 126 hinwegausgebildet.The hermetic seal structure 200 allows a reduction in width 202 , This setup is used to create the active detector area 20 as close as possible to the chest wall side 26 for example, for a digital X-ray panel 10 that is inserted in a mammogram device. The X-ray detector panel 10 is under construction 200 similar to the construction 100 made, with the difference that a hermetic layer 204 and an anti-corrosion layer 206 , for example from the right side, as in 3 shown, perpendicular to the hermetic layer 118 and the anti-corrosion layer 120 are upset. The hermetic layer 204 is over an edge of the encapsulation layer 112 , the reflective layer 114 , the thin film mask 116 , the hermetic layer 118 and the anti-corrosion layer 120 as well as the side wall 16 on the chest wall side 126 trained away.
    [0032] 4 istein Schnittbild eines alternativen hermetischen Abdichtungsaufbaus 300,der bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel 10 verwendetwerden kann. In 4 dargestellten Komponenten,die identisch mit in den 1, 2 veranschaulichten Komponentensind, sind in 4 mit dengleichen Bezugszeichen bezeichnet, wie sie in den 1, 2 verwendetsind. Demgemäß beinhaltet dasDetektorsubstrat 12 eine Detektorbasisfläche 14, eineSeitenwand 16, die sich rechtwinklig von der Detektorbasisfläche 14 wegerstreckt und eine Rückseite 18,die der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt. 4 is a sectional view of an alternative hermetic sealing structure 300 who at the in 1 X-ray detector panel shown 10 can be used. In 4 components shown that are identical to those in the 1 . 2 illustrated components are in 4 with the same reference numerals as in the 1 . 2 are used. Accordingly, the detector substrate includes 12 a detector base area 14 , a side wall 16 that are perpendicular to the detector base area 14 extends away and a back 18 that of the detector base area 14 is opposite.
    [0033] Der hermetische Abdichtungsaufbau 300 ist ähnlich wieder in den 2, 3 veranschaulichte hermetischeAbdichtungsaufbau 100 bzw. 200 hergestellt. Anstelleeiner Abdichtung, die durch die rechtwinklig zu der hermetischenSchicht 118 und der Korrosionsschutzschicht 120 aufgebrachtenhermetische Schicht 204 und Korrosionsschutzschicht ausgebildetist, verwendet die in 4 dargestellteAusführungsformein Klebstoffdichtmittel 202 und ein stirnseitiges U-Profil304, um die Brustwandseite 26 des digitalen Röntgenstrahlpaneels 10 abzudichten. Beider beispielhaften Ausführungsformist die Brustwandseite 26 die einzige Seite des digitalenRöntgenstrahlpaneels 10,die unter Verwendung des stirnseitigen U-Profils 304 abgedichtetist, die anderen Seiten könnenentsprechend der in 2 dargestelltenAusführungsformabgedichtet sein.The hermetic sealing structure 300 is similar to that in the 2 . 3 illustrated hermetic sealing structure 100 respectively. 200 manufactured. Instead of a seal that is perpendicular to the hermetic layer 118 and the anti-corrosion layer 120 applied hermetic layer 204 and corrosion protection layer is used, which in 4 embodiment shown an adhesive sealant 202 and a front U-profile 304 around the chest wall side 26 of the digital x-ray panel 10 seal. In the exemplary embodiment, the chest wall side 26 the only side of the digital x-ray panel 10 that using the front U-profile 304 is sealed, the other sides can according to the in 2 illustrated embodiment to be sealed.
    [0034] Auf die Korrosionsschutzschicht 120 istein Klebstoffmaterial 306 in ausreichend großer Menge aufgebracht,um eine Schutzabdeckung 308 abzustützen und an der Korrosionsschutzschicht 120 derartanzukleben, dass ein Spalt zwischen der Schutzabdeckung 308 undder Korrosionsschutzschicht 120 verbleibt. Bei der beispielhaftenAusführungsformbeinhaltet die Schutzabdeckung 308 einen Graphit-/Harzkern,der durch eine Aluminiumfolie verkapselt ist. Bei einer alternativenAusführungsform, beider die Korrosionsschutzschicht 120 nicht verwendet wird,wird Klebstoffmaterial 306 auf die hermetische Schicht 118 aufgebracht.Das Klebstoffdichtmittel 302 wird auf die Brustwandseite 26 inausreichender Menge aufgebracht, um den Zwischenraum zwischen denKomponenten einschließlich demKlebstoffdichtmittel 306 und der Schutzabdeckung 308 desdigitalen Röntgenstrahlpaneels 10 unddem stirnseitigen U-Profil 304 auszufüllen.On the anti-corrosion layer 120 is an adhesive material 306 applied in sufficient quantities to provide a protective cover 308 support and on the corrosion protection layer 120 so that there is a gap between the protective cover 308 and the anti-corrosion layer 120 remains. In the exemplary embodiment, the protective cover includes 308 a graphite / resin core encapsulated by an aluminum foil. In an alternative embodiment, in which the corrosion protection layer 120 is not used, adhesive material 306 on the hermetic layer 118 applied. The adhesive sealant 302 is on the chest wall side 26 applied in sufficient amount to the space between the components including the adhesive sealant 306 and the protective cover 308 of the digital x-ray panel 10 and the front U-profile 304 fill.
    [0035] 5 istein Querschnittsbild eines alternativen hermetischen Abdichtungsaufbaus 400,der bei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel 10 verwendetwerden kann. In 5 dargestelltenKomponenten, die identisch mit in den 1, 2, 3, 4 dargestelltenKomponenten sind, sind in 5 mitden gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wie sie in den 1, 2, 3, 4 verwendet sind. Demgemäß beinhaltetdas Detektorsubstrat 12 eine Detektorbasisfläche 14,eine Seitenwand 16, die sich rechtwinklig von der Detektorbasisfläche 14 wegerstreckt und eine Rückseite 18,die in der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt. 5 Figure 11 is a cross-sectional view of an alternative hermetic seal structure 400 who at the in 1 X-ray detector panel shown 10 can be used. In 5 components shown that are identical to those in the 1 . 2 . 3 . 4 components shown are in 5 with the same reference numerals as in the 1 . 2 . 3 . 4 are used. Accordingly, the detector substrate includes 12 a detector base area 14 , a side wall 16 that are perpendicular to the detector base area 14 extends away and a back 18 that are in the detector base area 14 is opposite.
    [0036] Der hermetische Abdichtungsaufbau 400 ist ähnlich wieder in 4 veranschaulichtehermetische Abdichtungsaufbau 300 hergestellt. Anstatt, dassdie Schutzabdeckung 308, wie in 4 innerhalb des stirnseitigen U-Profils 304 angeordnetist, ist die in 5 dargestellteSchutzabdeckung 308 außerhalbeiner Außenfläche 402 desstirnseitigen U-Profils 304 angebracht.The hermetic sealing structure 400 is similar to that in 4 illustrated hermetic sealing structure 300 manufactured. Instead of the protective cover 308 , as in 4 inside the front U-profile 304 is arranged is in 5 protective cover shown 308 outside an outside surface 402 of the front U-profile 304 appropriate.
    [0037] Auf die Brustwandseite 26 istKlebstoffmittel 302 in ausreichend großer Menge aufgebracht, um denZwischenraum zwischen den Komponenten des digitalen Röntgenstrahlpaneels 10 unddem stirnseitigen U-Profil 304 auszufüllen. Das Klebstoffmaterial 306 istauf die Fläche 402 inausreichend großer Mengeaufgebracht, um die Schutzabdeckung 308 abzustützen undan der Außenfläche 402 desU-Profils anzukleben. Die Schutzabdeckung 308 ist so angeordnet,dass sie die Korrosionsschutzschicht 120 oder wenn eineKorrosionsschutzschicht nicht verwendet wird die hermetische Schicht 118 abdeckt.On the chest wall side 26 is adhesive 302 applied in sufficient quantity to cover the space between the components of the digital X-ray panel 10 and the front U-profile 304 fill. The adhesive material 306 is on the surface 402 applied in sufficient quantity to the protective cover 308 support and on the outer surface 402 of the U-profile. The protective cover 308 is arranged so that the anti-corrosion layer 120 or if an anti-corrosion layer is not used the hermetic layer 118 covers.
    [0038] 6 istein Querschnittsbild eines weiteren alternativen hermetischen Abdichtungsaufbaus 500, derbei dem in 1 dargestelltenRöntgenstrahldetektorpaneel 10 verwendetwerden kann. Der hermetische Abdichtungsaufbau 500 ist ähnlich demin 2 dargestellten hermetischenAbdichtungsaufbau 100 hergestellt. In 6 dargestellte Komponenten die mit in 1 veranschaulichten Komponentenidentisch sind, sind in 6 mitden gleichen Bezugszeichen bezeichnet, wie sie in 1 verwendet sind. Demgemäß beinhaltetdas Detektorsubstrat 12 eine Detektorbasisfläche 14,eine Seitenwand 16, die sich rechtwinklig von der Detektorbasisfläche 14 wegerstreckt und eine Rückseite 18,die der Detektorbasisfläche 14 gegenüber liegt. 6 Figure 4 is a cross-sectional view of another alternative hermetic seal structure 500 who at the in 1 X-ray detector panel shown 10 can be used. The hermetic sealing structure 500 is similar to that in 2 shown hermetic sealing structure 100 manufactured. In 6 components shown with in 1 illustrated components are identical are in 6 with the same reference numerals as in 1 are used. Accordingly, the detector substrate includes 12 a detector base area 14 , a side wall 16 that are perpendicular to the detector base area 14 extends away and a back 18 that of the detector base area 14 is opposite.
    [0039] Die Detektorbasisfläche 14 beinhalteteinen aktiven Detektorbereich 520, einen Dammbereich 522,einen Kontaktfingerbereich 524 und einen Freiraumbereich 525 zwischendem Bereich 520 und dem Dammbereich 522. Auf derDetektorbasisfläche 14 istin dem aktiven Detektorbereich 520 eine Detektormatrix 526 ausgebildet,die ein Array von Fotosensoren beinhaltet, die so angeordnet sind,dass sie Photonen erfassen können.Elemente der Detektormatrix 526 sind an Kontaktfinger 528 elektrischderart angekoppelt, dass durch eine Kombination von Verbindungenmit den Kontaktfingern 528 der jeweilige Status jedes Elementesder Detektormatrix 526 bestimmt werden kann. Rings um denUmfang des aktiven Detektorbereichs 520 ist ein planarisierterKlebstoffdamm 530 ausgebildet, der eine Dicke 532 aufweist,welche gleich dem Abstand zwischen einer der Detektormatrix benachbartenersten Seite des Damms 530 und einer gegenüberliegendenzweiten Fläche 533 desDamms 530 ist. Bei einer Ausführungsform liegt die Dicke 532 ineinem Dickenbereich von 0,003 inches bis 0,007 inches. Bei eineralternativen Ausführungsformliegt die Dicke 532 in einem Dickenbereich von 0,004 inchesbis 0,006 Inches. Bei der beispielhaften Ausführungsform beträgt die Dicke 532 etwa0,005 inches. So wie sie hier benutzt werden, werden Ausdrücke wiez.B. „auf", „über" und "oberhalb" dazu verwendet aufdie jeweilige Relativstellung von in der Zeichnung dargestelltenTeilen Bezug zu nehmen; sie bedeuten keine struktur- oder funktionsmäßige Beschränkung inder zusammengebauten Vorrichtung.The detector base area 14 includes an active detector area 520 , a perineal area 522 , a contact finger area 524 and a free space area 525 between the area 520 and the perineal area 522 , On the detector base 14 is in the active detector area 520 a detector matrix 526 formed, which includes an array of photo sensors, which are arranged so that they can detect photons. Elements of the detector matrix 526 are on contact fingers 528 electrically coupled in such a way that a combination of connections with the contact fingers 528 the respective status of each element of the detector matrix 526 can be determined. Around the perimeter of the active detector area 520 is a planarized adhesive dam 530 trained of a thickness 532 which is equal to the distance between a first side of the dam adjacent to the detector matrix 530 and an opposite second surface 533 of the dam 530 is. In one embodiment, the thickness is 532 in a thickness range of 0.003 inches to 0.007 inches. In an alternative embodiment, the thickness is 532 in a thickness range of 0.004 inches to 0.006 inches. In the exemplary embodiment, the thickness is 532 about 0.005 inches. As they are used here, expressions such as "on", "above" and "above" are used to refer to the relative position of the parts shown in the drawing; they do not imply any structural or functional restrictions in the combination built device.
    [0040] Auf der Detektormatrix 526 istein den aktiven Detektorbereich 520 abdeckendes Szintillatormaterial 534 ausgebildet.Bei der beispielhaften Ausführungsformbeinhaltet das Szintillatormaterial 534 ein Caesiumiodid(CsI)-Material in einer CsI-Nadelstruktur 536. Bei eineralternativen Ausführungsform wären auchandere Szintillatormaterialien brauchbar. Bei der beispielhaftenAusführungsformenthältdie CsI-Nadelstruktur 536 ein Thallium-Dopingmaterial. Über demSzintillatormaterial 534 ist eine erste Einkapselungsschicht 542 ausgebildet,die sich über denaktiven Detektorbereich 520, den Freiraumbereich 525 und über eineLänge 538 über einenTeil des Dammbereichs 522 erstreckt. Bei der beispielhaftenAusführungsformist die Einkapselungsschicht 542 zwischen der Szintillatornadelstruktur 538 ganz biszum Boden jeder der Szintillatornadeln 536 und längs allerSeitenwändealler Szintillatornadeln 536 aufgebracht. Bei einer Ausführungsformliegt die Einkapselungsschicht in einem Dickenbereich von etwa 21 μm bis etwa5,0 μm.Bei einer anderen Ausführungsformliegt die Einkapselungsschicht in einem Dickenbereich von etwa 2,75 μm bis etwa4,75 μm. Beider beispielhaften Ausführungsformist die Einkapselungsschicht etwa 3,5 μm dick. Der Dickenbereich istlediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und soll keineBeschränkungbedeuten. Bei einer Ausführungsformbeinhaltet die Einkapselungsschicht 5432 Polyparyxylylen-Material(ParylenTM N). Bei einer anderen Ausführungsformenthält dieEinkapselungsschicht 542 Isomonochlorpolyparaxylen-Material(ParylenTM C). Bei einer weiteren Ausführungsformbeinhaltet die Einkapselungsschicht 542 sowohl ParylenTM C als auch ParylenTM N. ParylenTM ist eine eingetragene Marke der Specialty CoatingSystems, Inc. 5701 West Minnesota St. Indianapolis, Indiana 46241.On the detector matrix 526 is the active detector area 520 covering scintillator material 534 educated. In the exemplary embodiment, the scintillator material includes 534 a cesium iodide (CsI) material in a CsI needle structure 536 , In an alternative embodiment, other scintillator materials would also be useful. In the exemplary embodiment, the CsI contains needle structure 536 a thallium doping material. Above the scintillator material 534 is a first encapsulation layer 542 trained that over the active detector area 520 , the open space area 525 and over a length 538 over part of the perineal area 522 extends. In the exemplary embodiment, the encapsulation layer is 542 between the scintillator needle structure 538 all the way to the bottom of each of the scintillator needles 536 and along all side walls of all scintillator needles 536 applied. In one embodiment, the encapsulation layer is in a thickness range of about 21 microns to about 5.0 microns. In another embodiment, the encapsulation layer is in a thickness range from about 2.75 μm to about 4.75 μm. In the exemplary embodiment, the encapsulation layer is approximately 3.5 μm thick. The range of thicknesses is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting. In one embodiment, the encapsulation layer includes 5432 Polyparyxylylene material (Parylene TM N). In another embodiment, the encapsulation layer contains 542 Isomonochloropolyparaxylene material (Parylene TM C). In another embodiment, the encapsulation layer includes 542 both Parylen ™ C and Parylen ™ N. Parylen ™ is a registered trademark of Specialty Coating Systems, Inc. 5701 West Minnesota St. Indianapolis, Indiana 46241 ,
    [0041] Überder Einkapselungsschicht 542 ist eine bspw. Silber, Gold,Titan, Dioxid und Aluminium enthaltende reflektierende Schicht 546 ausgebildet,die sich zu dem Freiraumbereich 525 erstreckt. Bei der beispielhaftenAusführungsformbeinhaltet die reflektierende Schicht 546 eine Schichtaus Silber, eine Schicht aus Titandioxid und eine Aluminiumschicht von0,5 μm Dicke.Bei einer Ausführungsformliegt die Silberschicht in einem Dickenbereich von etwa 1000 Angstrombis 2000 Angstrom. Bei einer anderen Ausführungsform liegt die Silberschichtin einem Dickenbereich von etwa 1250 Angstrom bis 1715 Angstrom.Bei der beispielhaften Ausführungsform istdie Silberschicht etwa 1500 Angstrom dick. Bei einer anderen Ausführungsformliegt die Titandioxidschicht in einem Dickenbereich von etwa 300Angstrom bis etwa 700 Angstrom. Bei einer weiteren Ausführungsformliegt die Titandioxidschicht in einem Dickenbereich von etwa 400Angstrom bis etwa 600 Angstrom. Bei der beispielhaften Ausführungsform istdie Titandioxidschicht etwa 500 Angstrom dick. Bei einer Ausführungsformliegt die Aluminiumschicht in einem Dickenbereich von etwa 0,3 μm bis etwa0,7 μm.Bei einer anderen Ausführungsform liegtdie Aluminiumschicht in einem Dickenbereich zwischen etwa 0,4 μm bis etwa0,6 μm.Bei der beispielhaften Ausführungsformist die Aluminiumschicht etwa 0,5 μm dick. Der Dickenbereich istlediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und soll keineBeschränkungbedeuten. Die Schichten der reflektierenden Schicht 546 sindso bemessen, dass sie die Reflexion von einfallendem Licht von demSzintillatormaterial 534 zurück in die Szintillatornadeln 536 fördert. DieSilberschicht und die Aluminiumschicht neigen dazu, mit der Zeitineinander zu diffundieren, und eine dünne dazwischen angeordneteSperrschicht, die bspw. Titan enthält, trägt dazu bei, diese Diffusionzu verringern. Die reflektierende Schicht 546 deckt dieEinkapselungsschicht 542 über den Bereich 520 abund erstreckt sich über einenTeil des Freiraumbereichs 525.Over the encapsulation layer 542 is a reflective layer containing, for example, silver, gold, titanium, dioxide and aluminum 546 trained to the open space area 525 extends. In the exemplary embodiment, the reflective layer includes 546 a layer of silver, a layer of titanium dioxide and an aluminum layer of 0.5 μm thickness. In one embodiment, the silver layer is in a thickness range of approximately 1000 angstroms to 2000 angstroms. In another embodiment, the silver layer ranges from about 1250 Angstroms to 1715 Angstroms. In the exemplary embodiment, the silver layer is approximately 1500 angstroms thick. In another embodiment, the titanium dioxide layer is in a thickness range from about 300 angstroms to about 700 angstroms. In another embodiment, the titanium dioxide layer is in a thickness range from about 400 angstroms to about 600 angstroms. In the exemplary embodiment, the titanium dioxide layer is approximately 500 angstroms thick. In one embodiment, the aluminum layer is in a thickness range from approximately 0.3 μm to approximately 0.7 μm. In another embodiment, the aluminum layer is in a thickness range between approximately 0.4 μm to approximately 0.6 μm. In the exemplary embodiment, the aluminum layer is approximately 0.5 μm thick. The range of thicknesses is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting. The layers of the reflective layer 546 are sized to reflect incident light from the scintillator material 534 back into the scintillator needles 536 promotes. The silver layer and the aluminum layer tend to diffuse into one another over time, and a thin barrier layer interposed, for example containing titanium, helps to reduce this diffusion. The reflective layer 546 covers the encapsulation layer 542 over the area 520 and extends over part of the open space area 525 ,
    [0042] Auf der reflektierenden Schicht 546 isteine zweite Einkapselungsschicht 548 ausgebildet. Die Einkapselungsschicht 548 istim Wesentlichen ähnlichder Einkapselungsschicht 542 und enthält ebenfalls ParylenTM. Die Schicht 548 deckt die Schicht 546 abund erstreckt sich überden Rand der Schicht 546 bis zu dem Rand der Schicht 542 aufdem Damm 530. Bei einer Ausführungsform liegt die Einkapselungsschicht 548 ineinem Dickenbereich von etwa 5 μmbis etwa 9 μm.Bei einer anderen Ausführungsformliegt die Einkapselungsschicht 548 in einem Dickenbereichvon etwa 6 μmbis etwa 8 μm.Bei der beispielhaften Ausführungsformist die Einkapselungsschicht 548 etwa 7 μm dick. DerDickenbereich ist lediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegebenund soll keine Beschränkungbedeuten.On the reflective layer 546 is a second encapsulation layer 548 educated. The encapsulation layer 548 is essentially similar to the encapsulation layer 542 and also contains Parylen ™ . The layer 548 covers the layer 546 and extends over the edge of the layer 546 to the edge of the layer 542 on the dam 530 , In one embodiment, the encapsulation layer lies 548 in a thickness range from approximately 5 μm to approximately 9 μm. In another embodiment, the encapsulation layer is located 548 in a thickness range from approximately 6 μm to approximately 8 μm. In the exemplary embodiment, the encapsulation layer is 548 about 7 μm thick. The range of thicknesses is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting.
    [0043] Auf die Schicht 548 isteine Feuchtesperrschicht 550 aufgetragen. Bei der beispielhaftenAusführungsformbeinhaltet die Schicht 550 eine Schicht aus Titandioxidund eine Schicht aus Aluminium. Bei einer Ausführungsform liegt die Titandioxidschichtin einem Dickenbereich von etwa 300 Angstrom bis etwa 700 Angstrom.Bei einer anderen Ausführungsformliegt die Titandioxidschicht in einem Dickenbereich von etwa 400Angstrom bis etwa 600 Angstrom. Bei der beispielhaften Ausführungsformist die Titandioxidschicht etwa 500 Angstrom dick. Bei einer Ausführungsformliegt die Aluminiumschicht in einem Dickenbereich von etwa 0,3 μm bis etwa0,7 μm.Bei einer weiteren Ausführungsformliegt die Aluminiumschicht in einem Dickenbereich von etwa 0,4 μm bis etwa0,6 μm.Bei der beispielhaften Ausführungsform istdie Alu miniumschicht etwa 0,5 μmdick. Bei der beispielhaften Ausführungsform enthält die Schicht 550 eineSchicht aus Titandioxid, die etwa 500 Angstrom dick ist und eineSchicht aus Aluminium, die etwa 0,5 μm dick ist. Der Dickenbereichist lediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und sollkeine Beschränkungbedeuten. Die Schicht 550 deckt die Schicht 548 abund erstreckt sich zum Rand der Schicht 548 auf dem Damm 530.On the shift 548 is a moisture barrier 550 applied. In the exemplary embodiment, the layer includes 550 a layer of titanium dioxide and a layer of aluminum. In one embodiment, the titanium dioxide layer is in a thickness range from about 300 angstroms to about 700 angstroms. In another embodiment, the titanium dioxide layer is in a thickness range from about 400 angstroms to about 600 angstroms. In the exemplary embodiment, the titanium dioxide layer is approximately 500 angstroms thick. In one embodiment, the aluminum layer is in a thickness range from approximately 0.3 μm to approximately 0.7 μm. In a further embodiment, the aluminum layer is in a thickness range from approximately 0.4 μm to approximately 0.6 μm. In the exemplary embodiment, the aluminum layer is approximately 0.5 μm thick. In the exemplary embodiment, the layer includes 550 a layer of titanium dioxide that is approximately 500 angstroms thick and a layer of aluminum that is approximately 0.5 μm thick. The range of thicknesses is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting. The layer 550 covers the layer 548 and extends to the edge of the layer 548 on the dam 530 ,
    [0044] Gegebenenfalls ist auf die Schicht 550 eine optionaleFeuchtsperrschicht 552 aufgebracht. Die Schicht 552 decktdie Schicht 550 ab und erstreckt sich über den Rand der Schicht 550 hinausbis zu dem Damm 530. Bei einer Ausführungsform beinhaltet die Schicht 552 eineSchicht aus Titandioxid in einem Dickenbereich von 300 Angstrombis 700 Angstrom. Bei einer alternativen Ausführungsform liegt die Schicht 552 ineinem Dickenbereich zwischen 400 Angstrom und 600 Angstrom. Beider beispielhaften Ausführungsformist die Schicht 552 etwa 500 Angstrom dick. Der Dickenbereichist lediglich zu Zwecken der Veranschaulichung angegeben und sollkeine Beschränkungbedeuten.Possibly on the layer 550 an optional moisture barrier layer 552 applied. The layer 552 covers the layer 550 and extends over the edge of the layer 550 out to the dam 530 , In one embodiment, the layer includes 552 a layer of titanium dioxide in a thickness range from 300 angstroms to 700 angstroms. In an alternative embodiment, the layer lies 552 in a thickness range between 400 angstroms and 600 angstroms. In the exemplary embodiment, the layer is 552 about 500 angstroms thick. The range of thicknesses is given for purposes of illustration only and is not intended to be limiting.
    [0045] Die oben beschriebenen hermetischenAbdichtungsabdeckungen fürein Röntgenstrahldetektorpaneelsind lediglich beispielhaft angegeben. Um jeweiligen Bedingungenoder Anforderungen eines Endverbrauchers zu genügen, können auch eine andere Zahlund eine andere Anordnung der Schichten der hermetischen Abdeckungin Betracht kommen.The hermetic described aboveSealing covers foran x-ray detector panelare only given as examples. To respective conditionsor to meet end-user requirements can be a different numberand another arrangement of the layers of the hermetic coverbe considered.
    [0046] Bei der beispielhaften Ausführungsformwird der hermetische Abdichtungsaufbau 500 nicht zusammenmit dem stirnseitigen U-Profil 304 und der Schutzabdeckung 308 verwendet.Bei einer alternativen Ausführungsformist der hermetische Abdichtungsaufbau 500 durch das stirnseitigeU-Profil 304 und eine Schutzabdeckung 308 wiein 4 veranschaulicht abgedeckt.Bei einer weiteren alternativen Ausführungsform ist der hermetischeAbdichtungsaufbau 500 von dem stirnseitigen U-Profil 304 undeiner Schutzabdeckung 308 abgedeckt, wie dies in 5 veranschaulicht ist.In the exemplary embodiment, the hermetic seal structure 500 not together with the front U-profile 304 and the protective cover 308 used. In an alternative embodiment, the hermetic seal structure is 500 through the front U-profile 304 and a protective cover 308 as in 4 illustrated covered. In another alternative embodiment, the hermetic sealing structure is 500 from the front U-profile 304 and a protective cover 308 covered like this in 5 is illustrated.
    [0047] Die oben beschriebene aufgebrachtehermetische Abdichtung fürein digitales Röntgenstrahlpaneelist kostengünstigund in hohem Maßezuverlässig.Die aufgebrachte hermetische Abdichtung beinhaltet eine Anzahl aufgebrachterSchichten und eine Anzahl von Abdichtungsrändern. Zusätzlich ist eine optionale Schutzabdeckungvorgesehen, um die Beschädigungdes Detektors durch auf seine Oberfläche aufschlagende Gegenstände zu verringern.Im Ergebnis trägtdie aufgebrachte hermetische Abdichtung dazu bei, in kostengünstigerund zuverlässiger Weisedie Gefahr einer Beschädigungder Detektorkomponenten durch Feuchtigkeit herabzusetzen.The one described abovehermetic seal fora digital x-ray panelis inexpensiveand to a great extentreliable.The hermetic seal applied includes a number of appliedLayers and a number of sealing edges. There is also an optional protective coverprovided for the damageof the detector by objects hitting its surface.As a resultthe applied hermetic seal helps in making it more economicaland reliable waythe risk of damageof the detector components due to moisture.
    [0048] Im Vorstehenden sind beispielhafteAusführungenaufgebrachter hermetischer Abdeckungen im Einzelnen beschrieben.Die Abdeckungen sind nicht auf die beschriebenen speziellen Ausführungsformenbeschränkt,es könnenvielmehr Komponenten der Abdeckung unabhängig und getrennt von anderenhier beschriebenen Komponenten benutzt werden. Jede Komponente deraufgebrachten hermetischen Abdeckung kann auch in Kombination mitanderen Komponenten einer aufgebrachten hermetischen Abdeckung verwendetwerden.The above are exemplaryversionsapplied hermetic covers described in detail.The covers are not based on the specific embodiments describedlimited,it canrather, components of the cover are independent and separate from othersComponents described here are used. Every component of theapplied hermetic cover can also be used in combination withother components of an applied hermetic coverbecome.
    [0049] Wenngleich die Erfindung anhand verschiedenerspezieller Ausführungsformenbeschrieben wurde, so versteht sich doch für den Fachmann, dass die Erfindungim Schutzbereich der Patentansprüche auchmit Abwandlungen ausgeführtwerden kann.Although the invention is based on variousspecial embodimentshas been described, it is understood by those skilled in the art that the inventionwithin the scope of the claimsexecuted with modificationscan be.
    1010 DigitalesRöntgenstrahlpaneeldigitalRöntgenstrahlpaneel 1212 Detektorsubstratdetector substrate 1414 DetektorbasisflächeDetector base area 1616 SeitenwandSide wall 1818 Rückseiteback 2020 aktiverDetektorbereichactivedetector region 2222 Dammbereichperineum 2424 KontaktfingerbereichContact finger area 2626 BrustwandseiteChest wall side 2828 Kontaktfingercontact fingers 3030 Breitewidth 3232 Breitewidth 3434 Breitewidth 3636 BrustwandbreiteChest wall width 3838 KontaktfingerbereichbreiteContact finger width range 100100 Dichtungsaufbauoder -einrichtungseal assemblyor device 102102 Klebebereichadhesive area 104104 Detektormatrixdetector array 106106 planarisierterKlebstoffdammplanarizedadhesive dam 108108 DammdickeDamm thickness 109109 zweiteFlächesecondarea 110110 Szintillatormaterialscintillator 111111 CsI-NadelstrukturCsI needle structure 112112 Einkapselungsschichtencapsulation 114114 ReflektierendeSchichtreflectivelayer 116116 dünne Filmmaskethin film mask 118118 hermetischeSchichthermeticlayer 120120 KorrosionsschutzschichtCorrosion protection layer 200200 Dichtungsaufbauoder -einrichtungseal assemblyor device 202202 Breitewidth 204204 hermetischeSchichthermeticlayer 206206 KorrosionsschutzschichtCorrosion protection layer 300300 hermetischerAbdichtungsaufbauhermeticseal construction 302302 KlebstoffabdichtungsmittelAdhesives Sealant 304304 endseitigerKanalend-sidechannel 306306 Klebstoffmaterialadhesive material 400400 hermetischerAbdichtungsaufbauhermeticseal construction 403403 Flächearea 500500 alternativerhermetischer AbdichtungsaufbaualternativeHermetic sealing structure 520520 aktiverDetektorbereichactivedetector region 522522 Dammbereichperineum 524524 KontaktfingerbereichContact finger area 525525 FreiraumbereichClearance region 526526 Detektormatrixdetector array 528528 Kontaktfingercontact fingers 530530 Dammdam 532532 Dickethickness 533533 zweiteFlächesecondarea 534534 Szintillatormaterialscintillator 536536 Nadelstrukturneedle structure 538538 Längelength 543543 ersteEinkapselungsschichtfirstencapsulation 546546 reflektierendeSchichtreflectivelayer 548548 zweiteEinkapselungsschichtsecondencapsulation 550550 ersteFeuchtigkeitssperrschichtfirstMoisture barrier layer 552552 zweiteFeuchtigkeitssperrschichtsecondMoisture barrier layer
    权利要求:
    Claims (10)
    [1]
    Verfahren zum Herstellen einer Röntgenstrahldetektorpaneeleinrichtung(10) mit einem Detektorsubstrat (12), das eineDetektorbasisfläche(14) und eine Anzahl Seitenwände (16) beinhaltet,die sich rechtwinklig von der Detektorbasisfläche weg erstrecken, wobei dasVerfahren die folgenden Schritte aufweist: – Ausbilden einer Detektormatrix(20) auf dem Detektorsubstrat; – Ausbilden eines die DetektormatrixumschließendenDamms (106) auf dem Detektorsubstrat; – Ausbildeneines Szintillatormaterials (110) auf der Detektormatrix;und – Ausbildeneiner hermetischen Abdeckung (118) auf dem Szintillatormaterial,wobei die hermetische Abdeckung sich wenigstens entweder bis zurOberflächedes Damms oder überden Damm hinaus erstreckt.Method for manufacturing an X-ray detector panel device ( 10 ) with a detector substrate ( 12 ) that has a detector base area ( 14 ) and a number of side walls ( 16 ), which extend at right angles from the detector base area, the method comprising the following steps: - Forming a detector matrix ( 20 ) on the detector substrate; - Forming a dam surrounding the detector matrix ( 106 ) on the detector substrate; - forming a scintillator material ( 110 ) on the detector matrix; and - forming a hermetic cover ( 118 ) on the scintillator material, the hermetic covering extending at least either to the surface of the dam or beyond the dam.
    [2]
    Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ausbildender hermetischen Abdeckung außerdembeinhaltet: – Ausbildeneines einkapselnden Überzugs(112) auf dem Szintillatormaterial, der sich über denDamm hinaus erstreckt; – Ausbildeneiner reflektierenden Schicht (114) auf dem einkapselnden Überzug,die sich überden Damm hinaus erstreckt und – Ausbilden einer sich über denDamm hinaus erstreckenden dünnenFilmmaske (116) auf der reflektierenden Schicht.The method of claim 1, wherein forming the hermetic cover further includes: forming an encapsulating coating ( 112 ) on the scintillator material that extends beyond the dam; - forming a reflective layer ( 114 ) on the encapsulating coating that extends beyond the dam and - forming a thin film mask extending beyond the dam ( 116 ) on the reflective layer.
    [3]
    Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ausbildeneines hermetischen Überzugsaußerdembeinhaltet: – Ausbildeneiner hermetischen Schicht auf der dünnen Filmmaske, die sich über denDamm hinaus und überdie dünneFilmmaske hinaus erstreckt; und – Ausbilden einer Korrosionsschutzschicht(120) auf der hermetischen Schicht, die sich über denDamm hinaus und überdie hermetische Schicht hinaus erstreckt.The method of claim 1, wherein forming a hermetic coating further includes: forming a hermetic layer on the thin film mask that extends beyond the dam and beyond the thin film mask; and - forming a corrosion protection layer ( 120 ) on the hermetic layer, which extends beyond the dam and beyond the hermetic layer.
    [4]
    Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Detektorbasisfläche (14)eine Brustwandseite (26) beinhaltet und bei dem das Ausbildeneines hermetischen Überzugsaußerdembeinhaltet: – Ausbildeneiner hermetischen Schicht auf der dünnen Filmmaske, die sich über denDamm hinaus und bis zu wenigstens einer Seitenwand anschließend an dieBrustwandseite erstreckt; und – Ausbildung einer Korrosionsschutzschichtauf der hermetischen Schicht, die sich über den Damm hinaus und biszu wenigstens einer Seitenwand anschließend an die Brustwandseiteerstreckt.A method according to claim 3, wherein the detector base area ( 14 ) one side of the chest wall ( 26 ) and wherein the formation of a hermetic coating also includes: forming a hermetic layer on the thin film mask that extends beyond the perineum and up to at least one side wall adjacent to the chest wall side; and formation of a corrosion protection layer on the hermetic layer, which extends beyond the dam and up to at least one side wall adjoining the side of the chest wall.
    [5]
    Verfahren nach Anspruch 3, bei dem die Detektorbasisfläche einegegenüberliegende Rückseite (18)und eine Brustwandseite beinhaltet und bei dem das Ausbilden eineshermetischen Überzugsaußerdembeinhaltet: – Ausbildeneiner überden Damm hinaus reichenden hermetischen Schicht auf der dünnen Filmmaske; – Ausbildungeiner überden Damm hinausreichenden Korrosionsschutzschicht- auf der hermetischen Schicht;und – Ankoppelnwenigstens eines stirnseitigen U-Profils (304) an wenigstenseine Seitenwand.The method of claim 3, wherein the detector base surface has an opposite back ( 18 ) and includes a chest wall side and wherein the formation of a hermetic coating also includes: forming a hermetic layer extending beyond the perineum on the thin film mask; - Formation of a corrosion protection layer extending beyond the dam on the hermetic layer; and - coupling at least one front U-profile ( 304 ) on at least one side wall.
    [6]
    Verfahren nach Anspruch 5, bei dem das Ankoppelneines stirnseitigen U-Profils das Ankoppeln eines stirnseitigenU-Profils an die Brustwandseite beinhaltet.The method of claim 5, wherein the couplingof a front U-profile, the coupling of a frontU-profiles on the chest wall side included.
    [7]
    Verfahren nach Anspruch 6, das außerdem das Ankoppeln einesmechanischen Abdeckung (308) zwischen der hermetischenSchicht und dem stirnseitigen U-Profil beinhaltet, derart, dassein Spalt zwischen der hermetischen Schicht und dem stirnseitigenU-Profil vorhanden ist.The method of claim 6, further comprising coupling a mechanical cover ( 308 ) between the hermetic layer and the front U-profile, such that there is a gap between the hermetic layer and the front U-profile.
    [8]
    Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Ausbildeneiner hermetischen Abdeckung außerdembeinhaltet: – Ausbildeneiner sich zu einer Oberflächedes Damms erstreckenden ersten, einkapselnden Schicht (542)auf dem Szintillatormaterial; – Ausbilden einer sich zu einemBereich zwischen der Detektormatrix und der Oberfläche desDamms erstreckenden reflektierenden Schicht (546) auf der erstenEinkapselungsschicht; und – Ausbildeneiner sich zu einem Rand der ersten Einkapselungsschicht auf derOberflächedes Damms erstreckenden Einkapselungsschicht (548) aufder reflektierenden Schicht.The method of claim 1, wherein forming a hermetic cover further includes: forming a first encapsulating layer extending to a surface of the dam ( 542 ) on the scintillator material; - Forming a reflective layer extending to a region between the detector matrix and the surface of the dam ( 546 ) on the first encapsulation layer; and - forming an encapsulation layer extending to an edge of the first encapsulation layer on the surface of the dam ( 548 ) on the reflective layer.
    [9]
    Digitales Röntgenstrahlpaneel(10), das aufweist: – ein Detektorsubstrat (12); – eine Detektormatrix(20), die auf dem Detektorsubstrat ausgebildet ist; – einenDamm (106), der auf dem Detektorsubstrat ausgebildet istund die Detektormatrix umschließt; – ein Szintillatormaterial(110), das auf der Detektormatrix ausgebildet ist; und – eine hermetischeAbdeckung (118), die auf dem Szintillatormaterial ausgebildetist, wobei ein Rand der hermetischen Abdichtung wenigstens über die Detektormatrixund/oder den Damm und/oder die Detektormatrix bis zur Oberfläche desDamms sich erstreckt.Digital x-ray panel ( 10 ), which comprises: - a detector substrate ( 12 ); - a detector matrix ( 20 ) formed on the detector substrate; - a dam ( 106 ) which is formed on the detector substrate and encloses the detector matrix; - a scintillator material ( 110 ) formed on the detector matrix; and - a hermetic cover ( 118 ), which is formed on the scintillator material, wherein an edge of the hermetic seal extends at least over the detector matrix and / or the dam and / or the detector matrix to the surface of the dam.
    [10]
    Digitales Röntgenstrahlpaneelgemäß Anspruch9, bei dem die hermetische Abdichtung aufweist: – eine Einkapselungsschicht(112) auf dem Szintillatormaterial, die sich über denDamm hinaus erstreckt; – einereflektierende Schicht (114) auf der Einkapselungsschicht,die sich überden Damm hinaus erstreckt; und – eine dünne Filmmaske (116)auf der reflektierenden Schicht die sich über den Damm hinaus erstreckt.A digital X-ray panel according to claim 9, wherein the hermetic seal comprises: an encapsulation layer ( 112 ) on the scintillator material that extends beyond the dam; - a reflective layer ( 114 ) on the encapsulation layer that extends beyond the dam; and - a thin film mask ( 116 ) on the reflective layer that extends beyond the dam.
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    FR2851051A1|2004-08-13|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    2009-12-17| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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